삼성전자는 AI 가속기 위에 HBM을 직접 쌓아 인터포저를 없애는 zHBM 개념을 공개하고 HBM4E보다 대역폭 230% 증가와 전력 70% 절감을 목표로 제시했습니다. 현재는 개념검증 단계이며 대량 양산 예상 시점은 2028년에서 2029년입니다. 700W에서 1000W급 가속기의 열이 D램에 전달되는 문제와 6마이크로미터 이하 하이브리드 본딩의 정렬과 수율이 상용화의 핵심 한계입니다.
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삼성전자가 가속기 위에 쌓는 zHBM을 공개했습니다
수직 적층이 AI 메모리 병목을 줄일 수 있지만 열 관리와 웨이퍼 수율이 목표 성능보다 먼저 입증돼야 합니다.
출처
- 가속기 위에 메모리 올린다...삼성전자 'zHBM' 승부수 — 디지털투데이